天然气掺氢“潮流”席卷全球 氢能应用场景被打开

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钙钛矿的非理想电荷输运特征(non-idealities)较为复杂，流席除了离子迁移的贡献，也与电极/半导体界面的稳定性紧密相关。五、卷全景被【成果启示】该工作的发表深化了钙钛矿FET领域对离子迁移、接触电极反应以及三碘化铅钙钛矿FET器件的非理想特性来源的理解。

用场4.对器件偏压前和偏压后沟道和电极区域进行了PLmapping。一、打开【导读】 离子迁移现象仍是主要影响钙钛矿光电器件稳定性的因素。该工作研究了电极材料功函数和碘化铅过量/缺乏情形对FET器件偏压稳定性的影响，气掺氢潮球氢系统地解释了电极-钙钛矿电化学反应和外来金属离子影响FET器件性能的机理。

2.测试了不同功函数的接触电极(S-Dcontacts)对电流增强效应的影响，流席发现高功函数(WF=Au)电极的器件在偏压下普遍具有电流增强效应，流席低功函数(WF=Au)电极器件的电流则逐渐衰减。二、卷全景被【成果掠影】近日，卷全景被剑桥大学物理系HenningSirringhaus团队在期刊Small上发表题为DirectObservationofContactReactionInducedIonMigrationanditsEffectonNon-IdealChargeTransportinLeadTriiodidePerovskiteField-EffectTransistors的论文。

这些发现揭示了偏压诱导的外来金属离子迁移如何在器件层面影响电荷传输，用场显示出当钙钛矿直接与金属接触时，这种现象存在的广泛性。

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